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20nm-4Gb-DDR3-03A Samsung é mais uma vez a primeira em alguma coisa. Desta vez, a empresa sul-coreana anunciou que conseguiu criar a RAM mais rápida do mundo. A memória do tipo DDR5 usa a interface HBM2 e é capaz de uma velocidade de transferência de até 256 GB/s, o que a torna até 7 vezes mais rápida que os módulos DDR5 anteriores usados ​​em placas gráficas. A empresa anunciou que fornecerá sua memória DDR4 super-rápida de 5 GB para fabricantes de servidores corporativos, bem como para fabricantes de placas gráficas, nVidia e AMD.

Os módulos de memória para placas gráficas serão fabricados no processo de fabricação de 20 nm, o que fará com que consumam menos que as memórias atuais e ao mesmo tempo ofereçam maior desempenho. Atualmente, estão sendo produzidos chips de 4 GB compostos por quatro camadas com núcleos de 8 gigabits, mas em breve entrarão em produção de memória de 8 GB com oito camadas.

20nm 8Gb DDR4 Samsung

 

*Fonte: SamMobile

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