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20nm-4Gb-DDR3-03A Samsung Electronics anunciou que acaba de iniciar a produção em massa de novos módulos de RAM LPDDR6 de 3 Gb para dispositivos móveis. A empresa produzirá novas memórias operacionais com a ajuda de um processo de produção de 20 nm, o que se refletirá na redução do consumo de energia em 10% e no aumento do desempenho em até 30%. Cada pino desses módulos de memória possui velocidade de transferência de 2,133 Mb/s.

Os chips também são 20% menores em relação aos módulos anteriores, se levarmos em conta um conjunto de quatro módulos de memória próximos uns dos outros. Um conjunto de quatro módulos de memória é assim capaz de fornecer ao telefone 3 GB de RAM, já que cada módulo de memória fornece uma memória de 768 MB. Aqui pode-se ver que a Samsung provavelmente terá ainda mais tempo para atingir o limite topo de linha de 3 GB de RAM, e somente no final do próximo ano poderemos começar a fantasiar sobre o fato de que nosso celular os telefones têm a mesma quantidade de memória operacional encontrada em nossos computadores.

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*Fonte: Sammyhub

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