A Samsung Electronics anunciou que iniciou a produção em massa dos mais avançados módulos de memória DDR4 com tamanho de 8 Gb e, junto com eles, iniciou a produção dos primeiros módulos de RAM DDR32 de 4 GB destinados a servidores corporativos. Essas novas RAMs são fabricadas usando o novo processo de fabricação de 20 nm, que é o mesmo processo usado para fabricar até mesmo os processadores móveis mais avançados da atualidade. A Samsung afirma que estes módulos de memória atendem a todos os requisitos de alto desempenho, alta densidade e economia de energia em servidores corporativos de próxima geração.
Além disso, com os novos módulos DDR8 de 4 Gb, a Samsung finalizou toda a linha de módulos DRAM fabricados no processo de fabricação de 20 nm. Hoje, esta série inclui módulos LPDDR6 de 3 Gb para dispositivos móveis e módulos DDR4 de 3 Gb para PCs. Então, como mencionado acima, a Samsung está começando a produzir módulos de memória RDIMM de 32 GB que oferecem uma taxa de transferência de 2 Mbps por pino, o que representa um aumento de 400% no desempenho quando comparado à taxa de transferência de 29 Mbps da memória DDR1 do servidor. Mas as capacidades desta tecnologia não param nos 866 GB, e a Samsung afirmou que utilizando a tecnologia 3D TSV é possível desenvolver um módulo de memória de até 32 GB. A vantagem dos novos módulos também é o mencionado menor consumo, já que esses chips DDR3 requerem 128 volts, que atualmente é a menor tensão possível.
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*Fonte: Samsung
