Embora a Samsung ainda não tenha introduzido nenhum Galaxy S9 e já começa a se especular sobre Galaxy S10. Aparentemente, o carro-chefe que a gigante sul-coreana apresentará no próximo ano deverá ter um chip mais potente que o deste ano Galaxy S9. O coração da versão internacional Galaxy O S9 é um Exynos 9810 e a versão americana é um Snapdragon 845. A Samsung teve que ficar com o processo de 10nm, mas os chips de 7nm devem aparecer nos smartphones já no próximo ano, ou seja, Galaxy S10.
Ontem, a Qualcomm revelou o Snapdragon X24, um novo modem LTE para smartphones que promete velocidades teóricas de download de até 2 Gbps. A Qualcomm afirma que este é o primeiro modem LTE Categoria 20 a suportar velocidades tão altas. O Snapdragon X24 se tornará assim o primeiro modem LTE construído na arquitetura de 7 nm.
A Qualcomm disse que o modem chegará aos dispositivos comerciais ainda este ano, por isso não será lançado com o chip Snapdragon 845 que alimenta a versão dos EUA. Galaxy S9. Snapdragon 845 possui modem Snapdragon X20 LTE.
Embora a Qualcomm não tenha confirmado que o próximo processador, ou seja, Snapdragon 855, será fabricado usando o processo de 7 nm. Isto é apenas especulação, com base no perfil do LinkedIn de um dos funcionários do fornecedor.
O Snapdragon 855, que contaria com o modem Snapdragon X24, tornar-se-ia assim no primeiro processador móvel de 7nm do mundo. E Galaxy O S10 se tornaria o primeiro smartphone a ter tal processador.
Zdroj: SamMobile
