A Samsung iniciou hoje a produção em massa de seus novos módulos DRAM DDR3 usando um processo de fabricação de 20 nanômetros. Estes novos módulos têm capacidade de 4Gb, ou seja, 512MB. No entanto, a memória disponível de módulos individuais não é a sua característica principal. O avanço está justamente na utilização de um novo processo de produção, que resulta em até 25% menos consumo de energia em comparação ao antigo processo de 25 nanômetros.
A mudança para a tecnologia de 20 nm também é a última etapa que separa a empresa de iniciar a produção de módulos de memória utilizando o processo de 10 nm. A tecnologia atualmente utilizada nos novos módulos é também a mais avançada do mercado e pode ser utilizada não só com computadores, mas também com dispositivos móveis. Para computadores, isso significa que a Samsung agora é capaz de criar chips com o mesmo tamanho, mas com memória operacional significativamente maior. A Samsung também teve que modificar sua tecnologia existente para poder diminuir os chips, mantendo o método de fabricação atual.
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