Praga, 20 de março de 2015 - Samsung Electronics Co., Ltd., líder mundial em tecnologia de memória avançada, apresenta armazenamento NAND de 128 GB e 3 bits de alto desempenho para dispositivos móveis, baseado na tecnologia Embedded MultiMediaCard (eMMC) 5.0. Os carros-chefe entre os smartphones já estão mudando para o armazenamento de memória de 128 GB com base nos padrões Universal Flash Storage (UFS) 2.0 ou EMMC 5.1. Da mesma forma, mesmo os smartphones de gama média poderão agora aumentar a sua capacidade de 128 GB graças ao novo repositório Samsung 3 bits NAND eMMC 5.0. Este chip de memória tem a maior capacidade dentro do padrão eMMC 5.0.
“Com o lançamento de nossa série eMMC 3 de 5.0 bits baseada em NAND, esperamos liderar a expansão do armazenamento móvel de alta capacidade. Continuamos a desenvolver nossa oferta de memória móvel com melhor desempenho e maior capacidade para atender à crescente demanda dos clientes em toda a indústria de telefonia móvel.” disse o Dr. Jung-Bae Lee, vice-presidente sênior da equipe de planejamento de produtos de memória e engenharia de aplicações da Samsung Electronics.
Leitura sequencial os dados do novo armazenamento eMMC 128 de 5.0 GB da Samsung funcionam em alta velocidade 260 MB / s. Este é o mesmo desempenho da memória MLC eMMC 5.1 baseada em NAND. Desempenho aleatório de leitura e gravação je 6000 IOPS, respectivamente. 5000 IOPS, que é rápido o suficiente para suportar vídeos de alta definição e funções multitarefa avançadas. Em comparação com cartões de memória externos, essas velocidades de leitura e gravação são de aprox. 4 vezes a 10 vezes maior.
A nova série eMMC 3 de 5.0 bits expande os negócios da Samsung, desde o fornecimento de SSDs para data centers, servidores e PCs até todo o mercado de armazenamento móvel. A Samsung continuará a introduzir memórias NAND Flash de 3 bits através do desenvolvimento de soluções de alto desempenho e alta capacidade, bem como continuará a fortalecer a competitividade do seu negócio de tecnologia de memória.
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