Atualmente, a Samsung está se preparando para iniciar a produção de memórias Flash UFS 2.0 NAND ultrarrápidas que planeja usar em seu futuro carro-chefe, a Samsung Galaxy S6. Até agora, era utilizada a tecnologia de memória Flash eMMC NAND, que conseguia atingir uma velocidade de transferência de 400 MB/s. Porém, graças à nova tecnologia UFS de segunda geração, a memória estará nos telefones Galaxy S6 capaz de atingir uma velocidade de transferência de até 1.2 GB/s, ou seja, uma velocidade três vezes maior.
É claro que isso se refletirá na transferência de arquivos grandes, como a transferência de vídeos 4K usando uma conexão LTE-A. Além disso, em comparação ao eMMC 5.0, a tecnologia oferece consumo até 50% menor, o que tem efeito positivo na duração da bateria do novo celular. A Samsung também planeja usar a tecnologia em seus cartões SD e microSD, e aparentemente já está trabalhando duro nisso. A principal rival chinesa da Samsung, a Xiaomi, também planeja usar memória Flash UFS, e parece que Toshima, Hynix e Micron também demonstrarão interesse nela. Além disso, graças à tecnologia UFS, a Samsung será forçada a usar a porta microUSB 3.0 se quiser usar a velocidade de transferência ao transferir arquivos de um computador para um telefone celular e vice-versa.
var sklikData = {elm: "sklikReklama_47926", zoneId: 47926, w: 600, h: 190 };
var sklikData = {elm: "sklikReklama_47925", zoneId: 47925, w: 600, h: 190 };
*Fonte: ETNews
